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半導体結晶中の欠陥形成はデバイス性能を決定づける重要な要素であり、欠陥を正確に特定することは性能向上に不可欠です。本講義では、欠陥特定に有効な手法として電子スピン共鳴(EPR)を取り上げ、密度汎関数理論(EFT)シミュレーションと組み合わせた欠陥研究について、具体的な事例を挙げながら解説します。講義の主なトピックは以下のとおりです。(講義は英語で行われます。)
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コンテンツ名
Summer Lecture 2025_Nanotechnology III - 筑波大学EU世界展開力事務局
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